奇梦达的前世今生：全球第二大的DRAM供应商，短短三年时间跌入谷底

可以肯定的是，奇梦达是DRAM价格大滑坡的受害者，而他们更是经济危机的牺牲者。

据iSuppli初步统计数据显示，奇梦达在2006年第一季位居全球DRAM销售量第二位，其2005会计年度达到28亿欧元的营收记录。这主要得益于英飞凌当时率先在12英寸的晶圆上的投资。

而在2006年度的财报会议上，奇梦达方面预估，因为比较吃内存的Windows Vista操作系统的带动以及消费性与通讯应用DRAM需求持续增加，公司DRAM的位元生产量在2007会计年度第一季的成长率约为10%至15%。未来更将凭借全球首批做300mm晶圆和制程向90nm、80nm和75nm演进带来的性价比优势，在这个市场持续扩张。

但情况却在接下来的一年多里风云突变。

一方面，漏洞百出的Windows Vista发展不力，产业界期望通过系统升级提升DRAM销量的梦想破灭；另一方面，经济危机的到来，让整个DRAM市场雪上加霜。

据当时的媒体报道，到2007年底，DRAM的价格跌到仅为2006年同期的四分之一，而到了2008年，DRAM价格更是一路俯冲。不但跌破现金成本1.3-1.5美元，在第四季更跌破到厂商的材料成本 0.6-0.7美元。均价最低来到 0.59美元。且品牌颗粒价格罕见的低于测试颗粒价格，最低来到0.56美元。在这个双重影响下，最先受伤害的就是价格偏高的奇梦达。

翻看奇梦达当年的财报，数据显示，他们在2008年上半年的营收为9.25亿欧元，较前一年同期减少57%，而上半财年度的税前息前净损为10.58亿欧元。而对比看2007财年，他们上半年税前息前净利还是3.35亿欧元，这个下滑速度让人触目惊心。

外部环境只是奇梦达走向破产的一个原因，内部的一些操作也是导致他们走向今天结局的一个重要因素。

一方面，据行业相关人士介绍，奇梦达这些德国厂商对于降价竞争是没有任何兴趣的，他们认为自己的产品就应该值这样的价格，这种坚持也从某种程度上就把奇梦达推向悬崖边。

另一方面，相关人士也告诉笔者，奇梦达当时的一些财务处理也加速了他们的死亡。据闻在2006和2007年间，奇梦达本身的现金存储还是挺充足的，但同时公司的负债率也高。当时的奇梦达管理层认为这个财务状况不健康，为此他们用现金去还债。其实如果按照他做出这个决定的时候的DRAM走势，这也是毫无问题的。但谁也意料不到，DRAM的价格会急转直下，这就导致奇梦达没有充足的现金流撑过这波危机。

再者，德国政府的不挽救，更是让奇梦达连复盘的最后机会都没有了。而按照知情人士的说法，这其实某种程度上也是奇梦达管理层的锅。

据了解，当时奇梦达的管理层向相关部门求救的时候，给出的说法是如果能给三亿多欧元就能帮助公司渡过难关，而德国的相关部门实际上已经同意了这个说法。但知情人士表示，其实这个数目远远填不上奇梦达的窟窿，奇梦达管理层到最后也意识到这个问题，向相关部门坦白了，而德国方面听到了新的数目，也望而却步，这就让奇梦达的破产成为定局。

回看当年，面临这样的财务情况的其实不止奇梦达一个，韩国、日本乃至中国台湾的厂商也遭受同样的打击。但当时面临严重危机的海力士却在政府的帮助下，安然度过难关，然后成就了今天全球第二大存储供应商的地位。奇梦达的遭遇未免让人有所惋惜。

技术选择是催化剂

现在翻看当初关于奇梦达破产的报道，有很多一部分人士认为奇梦达错就错在当初坚持做沟槽式（Trench ）DRAM，甚至到现在也有不少媒体有着同样的观点。但这其实也只是片面之词。

复盘历史发现，实际情况要复杂得多。奇梦达之所以坚持Trench DRAM技术，是因为这个技术的确有能耗比的优势，这也是他们能在功能机时代拿下过五成的移动DRAM市场的原因。而他们当初其实也意识到这个技术在70nm之后碰到的瓶颈，所以他们在一面推进Trench技术的同时，也探索了很多的不同的解决方案，在那些年的一些学术会议上，我们甚至能找寻到奇梦达关于现在主流的堆栈式（Stack）DRAM的解决方案。笔者惊奇地发现，奇梦达当初给出的一些设计，甚至还能在当下主流的DRAM架构上找到相似的影子。

这也就是为何奇梦达的某些前员工曾经告诉过笔者，与其说奇梦达输给了堆栈式 DRAM，不如说奇梦达缺少一点运气。

根据他的观点，当时奇梦达在破产以前，研发出的领先堆栈式解决方案buried wordline领先三星和镁光等企业一代，这让他们倍受鼓舞。但因为堆栈式和沟槽式DRAM的原理不一样，那就意味着在生产的时候，所需的设备也不一样。对奇梦达来说，如果想转身，就必须要有大笔的设备投入。但恰好碰上了上文谈到的DRAM价格滑铁卢，这就让他们失去了投资生产堆栈式DRAM的资金实力。

如上图所示，DRAM的基本结构单元是1T1C（1 Transistor -1 Capacitor）。其工作的大致原理是：当Word Line选通时，晶体管导通，从而可以从Bit Line上读取存储在电容器上的位信息。根据工作原理，无论DRAM制程如何微缩，每个Bit（位元）的电容值都希望保持一定，或者更大，以储存足够电荷供读写使用。如果电容太小，则储存电荷不够多，在DRAM还未Refresh前就会漏光，资料就没了。而根据电容C= k*(A/d)的公式（k是介电质常数，A是面积，d是介电层厚度），要想有足够的电容，除了增加k之外，增大面积A也是扩大DRAM容量的一个重要手段。

历史上，随着DRAM容量需求的提升和存储单元的微缩，增加面积提高电容就成为了产业界努力的方向，这就延伸出了Trench DRAM和Stack DRAM两种解决方案。

而Stack DRAM则相反，是通过向上堆叠来实现电容面积增大。对Stacked DRAM而言，因为向上堆叠，那就让开发者可以围绕着这个“堆叠”向不同方向做面积扩展，可制造出比挖槽多了一倍的面积。同时可以使用high k介电质来保持或增加电容值，又不会碰到后续的高温制程，因为晶体管已在做电容前先做好了。

图3:Stack DRAM原理图

正如前面所说，虽然奇梦达已经研制出Stack DRAM，但命运让他们没法将这一套付诸现实。

这也就是笔者为什么在前面说奇梦达的死不在于技术的原因，而是缺少了一些运气。

倒下奇梦达 受益全世界

在奇梦达破产之后，公司的一部分专利回到了英飞凌集团本身，另一部分则保留在奇梦达这个主体上，因为公司一直到今天还在走破产程序，所以奇梦达的员工，包括技术也四散各地。但奇梦达在破产之前研究的Stack DRAM技术，却还在这个市场上发挥余热。

笔者从行业前辈口中得知，他们从如三星、镁光和SK海力士等主流厂商的DRAM上都找到了奇梦达当年做的Stack DRAM技术架构的身影。“这并不代表这些厂商在学习奇梦达的方案，但从侧面证明了Stack DRAM是一个异曲同工的技术。剩下来的就是等比例微缩来实现提高就行了”，他强调。我们把techinsighs的三星DRAM拆解图与奇梦达在破产前发表的Stack DRAM技术相比，有很多的相似之处。其中包括埋入式字线DRAM单元三极管，以及蜂窝式电容结构。10nm级DRAM纷纷采用这些技术。

据笔者了解，奇梦达破产之后，释出来的那批员工也去了各大DRAM公司，这也或多或少地将奇梦达本身的基因带到各大企业中去。

在这中间，也穿插着很多小故事。如果当时发生了，本来有机会改变奇梦达的命运乃至改变中国DRAM产业的现状，但最后却不了了之。

业内知情人士表示，当时的奇梦达在DRAM技术上面有非常深厚的积累，包括后续的buried wordline，但他们在技术方面比较开放，甚至开放到在面临经营危机时，有同行过来做尽调的时候，把细节都暴露给他们，这是让奇梦达的一些员工难以理解的。这就让某些“有心人”不需要支出任何费用，就已经掌握了奇梦达技术的关键。

从另一个角度看，这种开放性也让当时的奇梦达中国员工受益匪浅。据奇梦达前员工表示，当时他们公司各个地方的资料都对他们开放，这在其他DRAM公司是难以想象的。这也给中国培训了不少DRAM方面的人才。而在奇梦达破产之后，中国厂商本来有机会以比较低的价格整体拿下奇梦达的，但因为收购方的迟疑，最后失之交臂。考虑到奇梦达buried wordline工艺的先进性，错失这笔交易让奇梦达中国的一些亲历者感到异常遗憾。假设当然中国厂商真能拿下来奇梦达，也许全球DRAM又是另外的格局了。

当然，我们也必须承认，奇梦达的技术虽然很好，但因为他们破产的关系，相关技术只是在实验室上做了验证，并没真正付诸产线。那就意味着开发者要花费巨额的资金，才能将这个产品真正投资市场。